반도체 산업을 둘러싼 호재가 본격화되면서, 평택 고덕국제신도시 일대가 빠르게 변화하고 있다. 삼성전자 평택캠퍼스의 P3·P4 라인을 중심으로 고도화된 생산 공정과 인프라가 속속 확장되고 있으며, 차세대 HBM4와 2나노 이하 미세공정 기술 양산 등을 본격 추진 중이다. 이러한 반도체 호재는 산업을 넘어, 교육과 주거 등 도시 전반의 정주 여건 확충으로도 이어지며, 평택 고덕의 부동산 시장에도 긍정적인 영향을 미치고 있다.

삼성전자 평택캠퍼스 P4·P5공사 재개…인프라 확장에 속도

삼성전자가 최근 삼성물산 건설부문, 삼성E&A, 삼성중공업 등 계열사들과 평택캠퍼스 P4 마감공사 계약을 체결하며 공사 재개에 속도를 내고 있다. 계약 규모는 각각 1조4630억원, 9095억원, 3925억원으로 총 2조7650억원에 달한다. 공사 기간은 모두 2027년 7월31일까지다. 8월 1일부터 인력을 투입해 선작업 예정이며, 11월 본 공사 착공이 진행될 예정이다. 이와 함께 삼성전자는 평택캠퍼스 P5의 건설 재개 또한 확정되었다

초대형 첨단 반도체 생산시설로 주목받았으나 2023년 글로벌 수요 둔화로 중단되었던 평택캠퍼스P4, P5 공사가 재개될 수 있었던 동력은 삼성전자의 10나노급 6세대 D램과 5세대 HBM(HBM3E) 등 핵심 메모리 제품의 기술 경쟁력이 회복되었을 뿐만 아니라, AI 기술의 부상으로 첨단 반도체에 대한 수요 증가했기 때문이다.

수출입은행 자료에 따르면, AI 반도체 시장은 2022년 411억 달러에서 2028년에는 무려 1,330억 달러 규모로 성장할 것으로 전망되며, 이러한 시점이 바로 평택캠퍼스 P5가 본격적으로 가동될 시점과도 맞물려 있다.

삼성전자 평택캠퍼스 P4, P5의 공사 재개 소식과 함께 평택은 고도화된 반도체 생산의 핵심 거점으로서 한층 더 입지를 다져가고 있다. 반도체 공장과 같은 대형 생산기지 확장은 삼성전자의 장기적 반도체 성장 전략과 맞물리면서 지역 내 협력업체 활성화, 고용 창출 등 경제적 파급 효과도 클 것으로 기대된다.

차세대 고대역폭메모리(HBM4) 재설계 성공 및 양산 본격화

삼성전자는 차세대 고대역폭메모리(HBM4)의 재설계에 성공하며 본격적인 양산 체제에 돌입하였다. HBM4는 고성능 컴퓨팅(HPC)과 AI 반도체 수요 증가에 대응하기 위한 핵심 메모리로, 글로벌 반도체 시장에서 경쟁이 치열한 제품군이다. 당초 수율 확보에 어려움을 겪었으나, 설계 최적화와 공정 안정화 노력을 지속한 결과 최근 수율이 50% 이상으로 개선되었고, 안정적인 생산 기반을 마련하게 되었다.

이에 따라 삼성전자는 평택캠퍼스 P3·P4 라인을 중심으로 HBM4 양산 체계를 구축하고 있으며, 차세대 AI 서버용 GPU 및 데이터센터용 고성능 수요에 적극 대응하고 있다. HBM4는 대용량·고속 처리 성능이 요구되는 산업 환경에서 필수적인 메모리로, 삼성전자의 기술력과 평택캠퍼스의 생산 거점으로서의 중요성이 동시에 부각되고 있다.

한편, 삼성전자는 글로벌 고객사 수요에 맞춰 HBM3도 병행 생산하고 있으며, 이를 통해 제품 라인업을 다변화하고 글로벌 공급망의 안정성을 높이고 있다. 업계에 따르면 향후 HBM4E 등 차세대 HBM 시리즈로의 확장도 계획하고 있으며, 이는 단기 수익성은 물론 장기적인 기술 경쟁력 확보에도 기여할 것으로 예상된다.

평택캠퍼스는 이러한 기술 전환과 생산 중심 역할을 동시에 수행하며, 삼성전자 반도체 사업의 질적 전환을 이끄는 전략 거점으로 자리매김하고 있다.

2나노 이하 미세공정 기술 확보 및 투자 확대

삼성전자는 2나노 이하 GAA(Gate-All-Around, 전류가 새는 것을 최소화해 미세 공정의 한계를 극복하고 고성능 반도체를 제조하는 핵심기술) 기반의 미세공정 기술 확보에 박차를 가하고 있다.

기존 3나노·4나노 공정에서는 세계 최초 양산을 목표로 한 빠른 도입 전략이 있었던 반면, 2나노 공정은 수율 안정과 칩 성능 개선을 중심으로 내실을 다지는 전략을 택하고 있다. 이는 2나노가 향후 3~4년간 모바일, 서버, HPC 등 다양한 분야에서 주력 공정으로 자리할 가능성이 높기 때문이다.

현재 삼성전자는 평택캠퍼스를 포함한 핵심 거점에 2나노 공정 라인을 구축하고 있으며, 당초 2027년으로 계획되었던 1.4나노 양산 시점을 2029년으로 조정하고 2나노의 공정 완성도 제고에 집중하고 있다. 실제로 칩 발열 제어 및 전력 효율 측면에서의 기술적 성과가 빠르게 나타나고 있으며, GAA는 전류 누설을 줄이고 트랜지스터 성능을 향상시키는 데 유리한 기술로 평가된다.

삼성전자는 2025년 하반기 엑시노스 2600을 시작으로 2나노 기반 제품 양산에 착수할 계획이며, 가성비와 안정성을 바탕으로 시장에서의 신뢰 회복과 점진적인 점유율 확보를 도모하고 있다. 아직까지 글로벌 고객사 상당수는 도입에 신중한 입장이지만, 일부 빅테크 기업은 주요 경쟁사에 대한 공급 집중 리스크를 완화하기 위해 삼성전자를 대안 공급처로 검토 중인 것으로 알려져 있다.

이러한 시장 환경 변화에 대응해 삼성전자는 설비 투자와 공정 최적화에 집중하고 있으며, 평택캠퍼스가 첨단 파운드리 생산의 전략적 거점으로 부각되고 있다. 이와 함께 평택 고덕이 첨단 반도체 산업의 중심 지역으로 부상하며, 지역 내 협력업체 활성화, 고용 창출 등 경제적 파급 효과도 클 것으로 기대된다.

수도권 최초 국제학교, ‘미국 애니스쿨’ 유치로 정주 인프라 확충

반도체 산업의 특성상 고소득·고학력의 젊은 인재와 외국계 종사자의 장기 정주가 중요해지면서, 정부·지자체·기업 모두 정주 인프라를 갖춘 첨단 산업도시 조성에 힘을 모으고 있다. 그 일환으로 2028년, 평택 고덕국제신도시 내에는 미국 애니 라이트 스쿨(Annie Wright School)이 직접 운영하는 국제학교가 개교할 예정이다.

설립·운영법인으로 선정된 애니 라이트 스쿨은 141년 전통의 사립 명문으로, 미국 교육 평가 플랫폼 니치(Niche)에서 워싱턴주 사립 K-12(유·초·중·고 통합형) 학교 중 1위로 선정됐으며, 뉴스위크가 선정한 ‘상위 5% STEM 고등학교’에 이름을 올린 바 있다.

개교 예정인 평택국제학교는 서울·경기 지역에 최초로 설립되는 국제학교로, 설립 시 총 2000명 정원의 유·초·중·고 통합형 교육과정과 본교 연계 커리큘럼을 제공하며, 약 2만 평 규모의 부지에 들어서게 된다. 지역 학생은 우선 선발 대상에 포함되며, KAIST착공과 더불어 국제수준의 교육 인프라가 서울 외 지역에 안착하는 대표 사례로 주목받고 있다.

반도체·교육 호재 중심, ‘평택 고덕 유보라 더 크레스트’

산업 및 교육 호재가 집중되어 고덕국제신도시 내 주거 수요가 높아지면서 주목받는 아파트가 있다. 바로 ‘평택 고덕 유보라 더 크레스트’로, 삼성전자 평택캠퍼스 인근에 위치해 반도체 산업벨트와 생활 인프라 중심부를 모두 연결하는 핵심 입지를 갖추고 있다.

도보권 내 초·중·고교, 도서관, 고덕 수변공원을 포함한 대형 공원 등이 밀집해 있어, 실거주에 적합한 주거 인프라를 갖춘 단지로 평가받는다. 슬세권의 편리한 일상을 누릴 수 있는 대형 슈퍼마켓 ‘굿푸드 마켓’을 포함한 단지 내 브랜드 상가와 세계적인 팝 아티스트 크랙앤칼과 협업한 설치작품, 펫룸과 스마트팜을 비롯한 고급 커뮤니티 시설은 반도체 산업 종사자 및 외국계 수요자의 주거 니즈를 충족시키기에 충분하다.

반도체 산업의 성장과 함께 산업 기반을 갖춘 여러 도시들이 변화의 속도를 높이고 있다. 그 가운데 평택 고덕은 대규모 반도체 투자는 물론, 정주 여건과 교육 인프라를 함께 갖춰가며 주목받고 있는 지역 중 하나다. ‘평택 고덕 유보라 더 크레스트’는 이러한 변화의 흐름 속에서 산업·교육·주거 요소가 유기적으로 연결된 입지와 우수한 품질을 기반으로 그 중심이 되고 있다.